Раскрыты новы патэнт Apple на гібрыдную сістэму захоўвання!

digitimes працытаваў справаздачу Tom's Hardware і адзначыў, што з бесперапынным развіццём DRAM дызайн DRAM становіцца ўсё больш складаным з-за розных мэтаў прымянення. Канструкцыі, якія сканцэнтраваны на паляпшэнні шчыльнасці / ёмістасці сховішча, як правіла, памяншаюць (альбо, па меншай меры, не павялічваюць) прапускную здольнасць, у той час як канструкцыі, якія павялічваюць прапускную здольнасць, як правіла, памяншаюць (ці, па меншай меры, не павялічваюць) ёмістасць і энергаэфектыўнасць. Для дызайнераў SoC асноўная праблема стала тым, як дасягнуць найлепшага балансу паміж прапускной здольнасцю, ёмістасцю, энергаспажываннем і выдаткамі ў залежнасці ад патрабаванняў прыкладанняў мікрасхем.

Гібрыдная сістэма захоўвання дадзеных Apple, заснаваная на новай запатэнтаванай тэхналогіі, можа ўключаць у сябе як мінімум два розныя тыпы сховішча DRAM (напрыклад, адзін - DRAM высокай шчыльнасці, другі - DRAM нізкай шчыльнасці альбо DRAM з нізкай затрымкай і прапускной здольнасцю). Гэта дапамагае дасягнуць энергаэфектыўнай працы і павялічыць ёмістасць для захоўвання мабільных прылад і іншых прылад, якія лічаць галоўным спажыванне энергіі і суадносіны эфектыўнасці і магутнасці.

Паведамляецца, што ў патэнце апісваецца выкарыстанне некалькіх тэхналогій узаемасувязі, такіх як праз крэмній праз (TSV), для рэалізацыі некалькіх гібрыдных сістэм захоўвання дадзеных, якія аб'ядноўваюць хуткасную DRAM-памяць і асноўную DRAM-памяць. Акрамя таго, заяўка на патэнт ахоплівае SoC, а не працэсар для ПК.

Apple падала вышэйзгаданыя заяўкі на патэнт у Еўрапейскае патэнтавае ведамства (EPO), а таксама ў патэнтавыя рэгулюючыя ўстановы ў ЗША, Кітаі і Японіі.